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FS25R12KT3BOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FS25R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431414d53ef
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 40A 145W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.8 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 145 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
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Technische Details FS25R12KT3BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS25R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 40 A, 1.7 V, 145 W, 125 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7, Dauer-Kollektorstrom: 40, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 145, Verlustleistung: 145, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: EconoPACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 40, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FS25R12KT3BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS25R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431414d53ef IGBT Modules LOW POWER ECONO
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FS25R12KT3BOSA1 FS25R12KT3BOSA1 INFINEON INFNS28557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS25R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 40 A, 1.7 V, 145 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 40
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 145
Verlustleistung: 145
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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FS25R12KT3BOSA1 Infineon-FS25R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431414d53ef
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules LOW POWER ECONO
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FS25R12KT3BOSA1 INFNS28557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS25R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 40 A, 1.7 V, 145 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 40
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 145
Verlustleistung: 145
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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