FS28MR12W1M1HB11HPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
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Technische Details FS28MR12W1M1HB11HPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS28MR12W1M1HB11HPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 23Pin(s), Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote FS28MR12W1M1HB11HPSA1 nach Preis ab 159.4 EUR bis 159.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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FS28MR12W1M1HB11HPSA1 | Infineon Technologies |
Description: EASYPACK MODULE WITH COOLSIC TRE Packaging: Tray |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FS28MR12W1M1HB11HPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS28MR12W1M1HB11HPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 23Pin(s) Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FS28MR12W1M1HB11HPSA1 |
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auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 159.4 EUR |
| FS28MR12W1M1HB11HPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS28MR12W1M1HB11HPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - FS28MR12W1M1HB11HPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, Modul
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Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)