FS35R12W1T4B11BOMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 65A 225W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 225 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FS35R12W1T4B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 65A 225W MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 65 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 225 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FS35R12W1T4B11BOMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| FS35R12W1T4B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-EASY1B-2; Inverter; 225W Case: AG-EASY1B-2 Gate-emitter voltage: ±20V Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 225W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| FS35R12W1T4B11BOMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 225000mW 21-Pin EASY1B-2 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FS35R12W1T4B11BOMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-EASY1B-2; Inverter; 225W
Case: AG-EASY1B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 225W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-EASY1B-2; Inverter; 225W
Case: AG-EASY1B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 225W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FS35R12W1T4B11BOMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 225000mW 21-Pin EASY1B-2 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 225000mW 21-Pin EASY1B-2 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH

