FS3KM-18A Mitsubishi
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Technische Details FS3KM-18A Mitsubishi
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: TO-220FN, Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V, Drain-Strom Idd, A: 3 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4 Ohm, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 770/, Bemerkung: Ізольований корпус, Montage: THT.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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FS3KM-18A Produktcode: 79312
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Mitsubishi |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220FN Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V Drain-Strom Idd, A: 3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 770/ Bemerkung: Ізольований корпус Montage: THT |
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| FS3KM-18A Produktcode: 79312
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Hersteller: Mitsubishi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FN
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 770/
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FN
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 770/
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
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