FS50R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FS50R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS50R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 70 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 70A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 205W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 205W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: EasyPack, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 70A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FS50R06W1E3BOMA1 nach Preis ab 38.01 EUR bis 64.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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FS50R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 205W 21-Pin EASY1B-1 Tray |
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FS50R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 205W 21-Pin EASY1B-1 Tray |
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FS50R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 600V 70A 205W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 205 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 95 pF @ 25 V |
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FS50R06W1E3BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS50R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 70 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 70A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 205W euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Produktpalette: EasyPack Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 70A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS50R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 205000mW 21-Pin EASY1B-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS50R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 205W 21-Pin EASY1B-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS50R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER EASY |
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