FS50R12KE3BPSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FS50R12KE3BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS50R12KE3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 75 A, 1.7 V, 270 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: -, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 270W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote FS50R12KE3BPSA1 nach Preis ab 111.07 EUR bis 216.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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FS50R12KE3BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO2B Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 270 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V |
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FS50R12KE3BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 270W 28-Pin ECONO2B Tray |
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FS50R12KE3BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 270W 28-Pin ECONO2B Tray |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS50R12KE3BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 270W 28-Pin ECONO2B Tray |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS50R12KE3BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 50 A sixpack IGBT module |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FS50R12KE3BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 270W 28-Pin ECONO2B Tray |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS50R12KE3BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS50R12KE3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 75 A, 1.7 V, 270 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 270W euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FS50R12KE3BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005422390 |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FS50R12KE3BPSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Transistor/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Application: Inverter Power dissipation: 270W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EconoPACK™ 2 Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-ECONO2B Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FS50R12KE3BPSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Transistor/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Application: Inverter Power dissipation: 270W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EconoPACK™ 2 Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-ECONO2B |
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