FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPACK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FS50R12W1T7B11BOMA1 nach Preis ab 48.71 EUR bis 76.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FS50R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS50R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 50 A sixpack IGBT module |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FS50R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS50R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS50R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 7.9 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FS50R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 50A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS50R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS50R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |