FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies
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Technische Details FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Cutoff (Max): 7.9 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FS50R12W1T7B11BOMA1 nach Preis ab 62.02 EUR bis 82.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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FS50R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray |
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FS50R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray |
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FS50R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 7.9 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V |
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| FS50R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules EASY STANDARD |
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FS50R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS50R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray |
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