FS50R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies
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Technische Details FS50R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A (Typ), NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 7.9 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FS50R12W2T7B11BOMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FS50R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 18-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS50R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 18-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS50R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 50A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A (Typ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 7.9 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V |
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