FS75R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FS75R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS75R12KE3GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 355W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 355W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Weitere Produktangebote FS75R12KE3GBOSA1 nach Preis ab 259.33 EUR bis 337.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FS75R12KE3GBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 355W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
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FS75R12KE3GBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 355W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
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FS75R12KE3GBOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS75R12KE3GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 355W euEccn: NLR Verlustleistung: 355W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 125°C |
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FS75R12KE3GBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 355000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray |
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FS75R12KE3GBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 355W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
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FS75R12KE3GBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 100A 355W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 355 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.3 nF @ 25 V |
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FS75R12KE3GBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
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