FS75R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 82.79 EUR |
| 5+ | 78.41 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FS75R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS75R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.55 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Siebenfach N-Kanal, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FS75R12W2T7B11BOMA1 nach Preis ab 62.71 EUR bis 85.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS75R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 75APackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 75A (Typ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 65 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 13 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15.1 nF @ 25 V |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
FS75R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS75R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.55 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Siebenfach N-Kanal DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
| FS75R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 18-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||
|
|
FS75R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 18-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
|
|
FS75R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 18-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
 |
FS75R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 75 A sixpack IGBT module |
Produkt ist nicht verfügbar |