FS900R08A2P2B32BOSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
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Technische Details FS900R08A2P2B32BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE PACK2 DRV HYBRID2-1, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 550A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-HYBRID2-1, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 550 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V, Power - Max: 1546 W, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 105 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FS900R08A2P2B32BOSA1 nach Preis ab 1470.73 EUR bis 1538.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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FS900R08A2P2B32BOSA1 | Infineon Technologies |
 HybridPACK 2 IGBT Module Transistor |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FS900R08A2P2B32BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
HybridPACK 2 IGBT Module Transistor
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