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FS900R08A2P2B32BOSA1 Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
HybridPACK 2 IGBT Module Transistor
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Technische Details FS900R08A2P2B32BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE PACK2 DRV HYBRID2-1, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 105 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Power - Max: 1546 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V, Current - Collector (Ic) (Max): 550 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: AG-HYBRID2-1, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 550A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Three Phase Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.

Weitere Produktangebote FS900R08A2P2B32BOSA1 nach Preis ab 1421.16 EUR bis 1486.35 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FS900R08A2P2B32BOSA1 FS900R08A2P2B32BOSA1 Infineon Technologies infineonfs900r08a2p2b32dsv0300en.pdf HybridPACK 2 IGBT Module Transistor
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