FST83100M GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D61-3M
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D61-3M
Packaging: Bulk
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Technische Details FST83100M GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3M, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Part Status: Obsolete, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: D61-3M, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC), Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: D61-3M, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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FST83100M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FST83100M |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery
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