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FT2000KD

FT2000KD Diotec Semiconductor

ft2000a.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Rectifiers Diode, Fast, TO-220AC, 200V, 20A, 150C
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Technische Details FT2000KD Diotec Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FT2000KD FT2000KD Hersteller : Diotec Semiconductor ft2000a.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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FT2000KD Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR ft2000a.pdf FT2000KD-DIO THT universal diodes
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FT2000KD FT2000KD Hersteller : Diotec Semiconductor ft2000a.pdf Diode Switching 200V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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FT2000KD FT2000KD Hersteller : Diotec Semiconductor ft2000a.pdf Diode Switching 200V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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FT2000KD Hersteller : Diotec Semiconductor ft2000a.pdf Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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