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FX2000G

FX2000G DIOTEC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8F87282041C60C7&compId=fx2000a.pdf?ci_sign=1728f2fd2fb5a54acdb5b935940e1d5bbb8702fd Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 20A; Ammo Pack; Ifsm: 650A; Ø8x7,5mm
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 0.65kA
Case: Ø8x7,5mm
Max. forward voltage: 0.82V
Max. load current: 70A
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 60
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Technische Details FX2000G DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 20A; Ammo Pack; Ifsm: 650A; Ø8x7,5mm, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 0.4kV, Load current: 20A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: fast switching, Kind of package: Ammo Pack, Max. forward impulse current: 0.65kA, Case: Ø8x7,5mm, Max. forward voltage: 0.82V, Max. load current: 70A, Leakage current: 5µA, Reverse recovery time: 200ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FX2000G FX2000G Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8F87282041C60C7&compId=fx2000a.pdf?ci_sign=1728f2fd2fb5a54acdb5b935940e1d5bbb8702fd Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 20A; Ammo Pack; Ifsm: 650A; Ø8x7,5mm
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 0.65kA
Case: Ø8x7,5mm
Max. forward voltage: 0.82V
Max. load current: 70A
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 1755 Stücke:
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Anzahl Preis
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143+0.5 EUR
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FX2000G FX2000G Hersteller : Diotec Semiconductor fx2000a.pdf Diode Switching 400V 20A 2-Pin Case P-600 Ammo
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169+0.83 EUR
250+0.68 EUR
500+0.59 EUR
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FX2000G FX2000G Hersteller : Diotec Semiconductor fx2000a.pdf Rectifiers Diode, Fast, D8x7.5_LowRth, 400V, 20A, 150C
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Anzahl Preis
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10+1.81 EUR
100+1.12 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FX2000G FX2000G Hersteller : Diotec Semiconductor fx2000a.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 20A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
auf Bestellung 490 Stücke:
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Anzahl Preis
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100+1.06 EUR
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FX2000G FX2000G Hersteller : Diotec Semiconductor fx2000a.pdf Diode Switching 400V 20A 2-Pin Case P-600 Ammo
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FX2000G FX2000G Hersteller : Diotec Semiconductor fx2000a.pdf Diode Switching 400V 20A 2-Pin Case P-600 Ammo
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FX2000G FX2000G Hersteller : Diotec Semiconductor fx2000a.pdf Rectifier Diode Switching 400V 20A 200ns 2-Pin Case P-600 Ammo
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FX2000G FX2000G Hersteller : Diotec Semiconductor fx2000a.pdf Diode Switching 400V 20A 2-Pin Case P-600 Ammo
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FX2000G FX2000G Hersteller : Diotec Semiconductor fx2000a.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 20A P600
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
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