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Technische Details FZ2400R12HP4HOSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ2400R12HP4HOSA2 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 2.4 kA, 1.7 V, 12.5 kW, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 2.4kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 12.5kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: IHM-B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 2.4kA, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote FZ2400R12HP4HOSA2 nach Preis ab 1329.15 EUR bis 1424.33 EUR
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FZ2400R12HP4HOSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 IHM-B IGBT module |
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FZ2400R12HP4HOSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 3460A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 2400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3460 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 12500 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V |
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FZ2400R12HP4HOSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FZ2400R12HP4HOSA2 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 2.4 kA, 1.7 V, 12.5 kW, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 2.4kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 12.5kW euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: IHM-B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 2.4kA Betriebstemperatur, max.: 175°C |
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FZ2400R12HP4HOSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
IHM-B IGBT module |
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