FZ400R17KE4HOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FZ400R17KE4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ400R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 550 A, 1.95 V, 2.5 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: 2.5kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 550A, Produktpalette: Standard 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 550A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FZ400R17KE4HOSA1 nach Preis ab 124.2 EUR bis 203.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FZ400R17KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1700V 550A 2500W 4-Pin 62MM-2 Tray |
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FZ400R17KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MODULE IGBT 1700V AG-62MM-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 550 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 2500 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49 nF @ 25 V |
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FZ400R17KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 550A 2500W 4-Pin 62MM-2 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FZ400R17KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 550A 2500000mW 4-Pin 62MM-2 Tray |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FZ400R17KE4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FZ400R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 550 A, 1.95 V, 2.5 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: 2.5kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 550A Produktpalette: Standard 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 550A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FZ400R17KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 550A 2500W 4-Pin 62MM-2 Tray |
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FZ400R17KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 550A 2500W 4-Pin 62MM-2 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FZ400R17KE4HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 400A; AG-62MMES Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 400A Case: AG-62MMES Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Power dissipation: 2.5kW Technology: TRENCHSTOP™ Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FZ400R17KE4HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 400A; AG-62MMES Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 400A Case: AG-62MMES Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Power dissipation: 2.5kW Technology: TRENCHSTOP™ Mechanical mounting: screw |
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