FZ500R65KE3NOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 6500V 500A
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 135 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2000000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 500A
Operating Temperature: -50°C ~ 125°C
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
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Technische Details FZ500R65KE3NOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 6500V 500A, Package / Case: Module, Packaging: Tray, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 135 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Power - Max: 2000000 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6500 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 A, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 500A, Operating Temperature: -50°C ~ 125°C, Configuration: Half Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount.
Weitere Produktangebote FZ500R65KE3NOSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| FZ500R65KE3NOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FZ500R65KE3NOSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH

