FZ600R17KE3HOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 840A 3150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 840 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 3150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 308.25 EUR |
| 10+ | 284.57 EUR |
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Technische Details FZ600R17KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ600R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 840 A, 2 V, 3.15 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, Dauer-Kollektorstrom: 840A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 3.15kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.15kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: Standard 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 840A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FZ600R17KE3HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FZ600R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 840 A, 2 V, 3.15 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Dauer-Kollektorstrom: 840A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 3.15kW euEccn: NLR Verlustleistung: 3.15kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: Standard 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 840A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FZ600R17KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 840A 3150000mW 4-Pin 62MM-2 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FZ600R17KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 840A 3150mW 4-Pin 62MM-2 Tray |
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FZ600R17KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 840A 3150mW 4-Pin 62MM-2 Tray |
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