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FZ800R12KE3HOSA1 INFINEON


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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FZ800R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 800
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 3.55
Verlustleistung: 3.55
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Technische Details FZ800R12KE3HOSA1 INFINEON

Description: INFINEON - FZ800R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 125 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7, Dauer-Kollektorstrom: 800, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 3.55, Verlustleistung: 3.55, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: Standard 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 800, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FZ800R12KE3HOSA1 FZ800R12KE3HOSA1 Infineon Technologies 8939ds_fz800r12ke3_3_0_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f31105.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 3550mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray
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