FZ800R12KS4B2NOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 1200A 7600W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 52 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 7600 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 800A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
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Technische Details FZ800R12KS4B2NOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 1200A 7600W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 52 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Power - Max: 7600 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 800A, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Configuration: Single, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| FZ800R12KS4B2NOSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules IHV IHM T XHP 3 3-6 5K |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FZ800R12KS4B2NOSA1 |
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