FZ900R12KP4HOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 900A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 56 nF @ 25 V
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Technische Details FZ900R12KP4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ900R12KP4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 900 A, 2.05 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 900A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FZ900R12KP4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FZ900R12KP4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 900 A, 2.05 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 900A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |