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FZT591TA

FZT591TA Diodes Zetex

fzt591.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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Technische Details FZT591TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote FZT591TA nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.83 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FZT591TA FZT591TA Diodes Incorporated FZT591.pdf Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 37000 Stücke:
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2000+0.48 EUR
3000+0.45 EUR
5000+0.43 EUR
7000+0.42 EUR
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FZT591TA FZT591TA Diodes Incorporated FZT591.pdf Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 38379 Stücke:
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14+1.55 EUR
21+1.04 EUR
100+0.71 EUR
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FZT591TA FZT591TA DIODES INC. DIOD-S-A0001069769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 800 Stücke:
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150+1.68 EUR
175+1.33 EUR
279+0.77 EUR
500+0.64 EUR
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FZT591TA FZT591TA DIODES INC. DIOD-S-A0001069769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 800 Stücke:
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FZT591TA FZT591TA Diodes Incorporated FZT591.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
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10+1.17 EUR
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500+0.64 EUR
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2000+0.49 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FZT591TA FZT591TA Diodes Zetex fzt591.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 59 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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 Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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FZT591TA ZETEX FZT591.pdf SOT-223
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Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
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Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
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Packaging: Tape & Reel (TR)
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Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2 W
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21+1.04 EUR
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500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FZT591TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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150+1.68 EUR
175+1.33 EUR
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FZT591TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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AnzahlPrivatkunde
150+1.68 EUR
175+1.33 EUR
279+0.77 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
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10+1.17 EUR
100+0.79 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.49 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FZT591TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 59 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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Hersteller: ZETEX
SOT-223
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