FZT649 ON Semiconductor
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Technische Details FZT649 ON Semiconductor
Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 240MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FZT649 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FZT649 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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FZT649 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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FZT649 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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FZT649 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Low Saturation |
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FZT649 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 3A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 2 W |
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FZT649 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 240MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FZT649 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 240MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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FZT649 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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FZT649 Produktcode: 130252
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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FZT649 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 3A SOT-223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 2 W |
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