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FZT651TA

FZT651TA Diodes Zetex

fzt651.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details FZT651TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - FZT651TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FZT651TA FZT651TA Hersteller : Diodes Zetex fzt651.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FZT651TA FZT651TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT651.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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FZT651TA FZT651TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT651.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
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FZT651TA FZT651TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT651.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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FZT651TA FZT651TA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986ACD177FF7918BF&compId=FZT651.pdf?ci_sign=5f5433db47d52ffebf7263beb839f652c154e2ee Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 3W; SOT223
Power dissipation: 3W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 175MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 40...300
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 1000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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50+1.43 EUR
69+1.03 EUR
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3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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FZT651TA FZT651TA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986ACD177FF7918BF&compId=FZT651.pdf?ci_sign=5f5433db47d52ffebf7263beb839f652c154e2ee Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 3W; SOT223
Power dissipation: 3W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 175MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 40...300
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 1000pcs.
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FZT651TA FZT651TA Hersteller : DIODES INC. FZT651.pdf Description: DIODES INC. - FZT651TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9152 Stücke:
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FZT651TA FZT651TA Hersteller : Diodes Inc 33656630491643160fzt651.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FZT651TA FZT651TA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0014841103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FZT651TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9370 Stücke:
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FZT651TA FZT651TA Hersteller : Diodes Inc 33656630491643160fzt651.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
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FZT651TA Hersteller : DIODES/ZETEX FZT651.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FZT651TA TFZT651ta
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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50+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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FZT651TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT651.pdf Транз. Бипол. БМ NPN SOT-223 Uceo=60V; Ic=3A; ft=175MHz; Pdmax=2W; hfe=100/300
auf Bestellung 8 Stücke:
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Anzahl Preis
1+5.5 EUR
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FZT651TA Hersteller : ZETEX FZT651.pdf TRANS NPN HP 60V 3000MA SOT-223
auf Bestellung 1 Stücke:
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FZT651TA FZT651TA Hersteller : Diodes Zetex fzt651.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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