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FZT653TA

FZT653TA Diodes Zetex

713947590895162fzt653.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 2A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details FZT653TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - FZT653TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

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FZT653TA FZT653TA Hersteller : Diodes Zetex 713947590895162fzt653.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FZT653TA FZT653TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT653.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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FZT653TA FZT653TA Hersteller : Diodes Zetex 713947590895162fzt653.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FZT653TA FZT653TA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE799C55A085CB3E749&compId=FZT653.pdf?ci_sign=2b3b5fa06f02aa9b5769f23391bfeceeda6faa60 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 2A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 2A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 175MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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77+0.93 EUR
96+0.75 EUR
122+0.59 EUR
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227+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
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FZT653TA FZT653TA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE799C55A085CB3E749&compId=FZT653.pdf?ci_sign=2b3b5fa06f02aa9b5769f23391bfeceeda6faa60 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 2A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 2A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 175MHz
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FZT653TA
Produktcode: 139348
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FZT653TA FZT653TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT653.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
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FZT653TA FZT653TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT653.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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FZT653TA FZT653TA Hersteller : Diodes Inc 812933243086111fzt653.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FZT653TA FZT653TA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004395490-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FZT653TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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FZT653TA FZT653TA FZT653.pdf NPN 120V, 2A, general purpose transistor SOT223
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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FZT653TA FZT653TA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004395490-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FZT653TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5722 Stücke:
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FZT653TA FZT653TA Hersteller : Diodes Inc 812933243086111fzt653.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FZT653TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT653.pdf Транз. Бипол. БМ NPN SOT-223 Uceo=100V; Ic=2A; ft=175MHz; Pdmax=1W; hfe=100/300
auf Bestellung 48 Stücke:
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1+1.59 EUR
10+1.41 EUR
100+1.28 EUR
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FZT653TA Hersteller : DIODES/ZETEX FZT653.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 3000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FZT653TA TFZT653ta
auf Bestellung 1000 Stücke:
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FZT653TA FZT653TA Hersteller : Diodes Zetex 713947590895162fzt653.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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