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FZT658TA

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FZT658TA FZT658TA Diodes Zetex fzt658.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FZT658TA FZT658TA Diodes Zetex fzt658.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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1000+0.4 EUR
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FZT658TA FZT658TA Diodes Zetex fzt658.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 37000 Stücke:
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FZT658TA FZT658TA Diodes Zetex fzt658.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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auf Bestellung 30000 Stücke:
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3000+0.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FZT658TA FZT658TA Diodes Incorporated FZT658.pdf Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 15300 Stücke:
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1000+0.75 EUR
2000+0.69 EUR
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FZT658TA FZT658TA Diodes Incorporated FZT658.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage
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2+2.51 EUR
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FZT658TA FZT658TA Diodes Incorporated FZT658.pdf Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 15466 Stücke:
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9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
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FZT658TA FZT658TA DIODES INC. 2239691.pdf Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.07 EUR
132+1.76 EUR
201+1.07 EUR
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FZT658TA FZT658TA DIODES INC. 2239691.pdf Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13058 Stücke:
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100+3.07 EUR
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FZT658TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+0.4 EUR
2000+0.38 EUR
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FZT658TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FZT658TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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FZT658TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 789 Stücke:
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FZT658TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FZT658TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2000+0.46 EUR
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5000+0.4 EUR
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FZT658TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.51 EUR
2000+0.48 EUR
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FZT658TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 15300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.75 EUR
2000+0.69 EUR
3000+0.65 EUR
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7000+0.6 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FZT658TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage
auf Bestellung 11862 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.51 EUR
10+1.57 EUR
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FZT658TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 15466 Stücke:
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500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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FZT658TA 2239691.pdf
FZT658TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13058 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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132+1.76 EUR
201+1.07 EUR
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5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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FZT658TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFP240PBF
Produktcode: 188578
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irfp240.pdf
IRFP240PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 20 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/70
Montage: THT
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  • 23 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FZT758 (Transistor)
Produktcode: 47831
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Grenzfrequenz fT, MHz: 50 МГц
Spannung Uce, V: 400 В
Spannung Ucb, V: 400 В
Strom Ic, A: 0,5 А
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5200O (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 31995
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2sc5200.pdf
2SC5200O (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247
Transitfrequenz fT: 30 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 230 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 230 V
Kollektorstrom Ic, A: 15 A
Stromverstärkung h21: 160
Montage: THT
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
auf Bestellung: 42 St.
  • 42 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+5.36 EUR
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