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FZT658TA Diodes Zetex

Name: FZT658TA
Brand: Diodes Zetex
SKU: 214150-5
Price: 340 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Technische Details FZT658TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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FZT658TA

Hersteller : Diodes Zetex

Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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FZT658TA

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FZT658TA

Hersteller : Diodes Zetex

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FZT658TA

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FZT658TA

Hersteller : Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

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FZT658TA

Hersteller : DIODES INCORPORATED

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.5A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
71+	1.02 EUR
93+	0.77 EUR
123+	0.59 EUR
1000+	0.34 EUR

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FZT658TA

Hersteller : DIODES INCORPORATED

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Anzahl	Preis
71+	1.02 EUR
93+	0.77 EUR

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FZT658TA

Hersteller : Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage

auf Bestellung 29415 Stücke:

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Anzahl	Preis
2+	1.65 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.44 EUR
2000+	0.41 EUR
5000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FZT658TA

Hersteller : Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

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11+	1.69 EUR
17+	1.05 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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FZT658TA

Hersteller : DIODES INC.

Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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FZT658TA

Hersteller : DIODES INC.

Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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FZT658TA
Produktcode: 185805

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