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FZT658TA

FZT658TA Diodes Zetex

fzt658.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details FZT658TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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FZT658TA FZT658TA Hersteller : Diodes Zetex fzt658.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FZT658TA FZT658TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT658.pdf Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
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FZT658TA FZT658TA Hersteller : DIODES INCORPORATED FZT658.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.5A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
93+0.77 EUR
123+0.59 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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FZT658TA FZT658TA Hersteller : DIODES INCORPORATED FZT658.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.5A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
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FZT658TA FZT658TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT658.pdf Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
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18+1.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
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FZT658TA FZT658TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT658.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage
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Anzahl Preis
2+1.65 EUR
10+1.03 EUR
100+0.6 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.39 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FZT658TA FZT658TA Hersteller : DIODES INC. 2239691.pdf Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 247 Stücke:
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FZT658TA FZT658TA Hersteller : DIODES INC. 2239691.pdf Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Produktcode: 185805
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