FZT753TC Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 4000+ | 0.48 EUR |
| 8000+ | 0.45 EUR |
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Technische Details FZT753TC Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - FZT753TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FZT753TC nach Preis ab 0.52 EUR bis 1.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FZT753TC | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power |
auf Bestellung 5466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FZT753TC | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 11887 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FZT753TC | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT753TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FZT753TC | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT753TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FZT753TC | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 100V 2A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FZT753TC | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 2A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |