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FZT755TA

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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FZT755TA FZT755TA Diodes Zetex fzt755.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FZT755TA FZT755TA Diodes Zetex fzt755.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FZT755TA FZT755TA DIODES INC. DIOD-S-A0001069827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FZT755TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FZT755TA FZT755TA DIODES INC. DIOD-S-A0001069827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FZT755TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FZT755TA FZT755TA Diodes Incorporated FZT755.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
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FZT755TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 150V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FZT755TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 150V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FZT755TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT755TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FZT755TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT755TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
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