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FZT757TA

FZT757TA Diodes Zetex

fzt757.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details FZT757TA Diodes Zetex

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 2 W.

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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 2 W
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FZT757TA FZT757TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT757.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
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Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 2 W
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FZT757TA Hersteller : DIODES INCORPORATED FZT757.pdf FZT757TA PNP SMD transistors
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