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FZT796ATA

FZT796ATA Diodes Incorporated

FZT796A.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 200V 0.5A SOT223-3
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
auf Bestellung 66000 Stücke:
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AnzahlPreis
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2000+0.4 EUR
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Technische Details FZT796ATA Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 200V 0.5A SOT223-3, Supplier Device Package: SOT-223-3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 200mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
FZT796ATA FZT796ATA Diodes Incorporated FZT796A.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
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FZT796ATA FZT796ATA Diodes Incorporated FZT796A.pdf Description: TRANS PNP 200V 0.5A SOT223-3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
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Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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SOT-223
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