FZT851QTA Diodes Zetex
Hersteller: Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details FZT851QTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - FZT851QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FZT851QTA nach Preis ab 0.79 EUR bis 2.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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FZT851QTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
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FZT851QTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
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FZT851QTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 400V NPN Med PWR 100mA 200mV 20A |
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FZT851QTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT851QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1008 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FZT851QTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT851QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1008 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FZT851QTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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