Technische Details G025N03T Goford Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 160A; 130W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 160A, Power dissipation: 130W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Gate charge: 89nC, Kind of channel: enhancement.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| G025N03T | GOFORD Semiconductor |
 G025N03T |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G025N03T |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
G025N03T
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| 323+ | 0.55 EUR |