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G048N04T

G048N04T Goford Semiconductor

G048N04T.pdf Hersteller: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO-220
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6561 pF @ 20 V
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Technische Details G048N04T Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO-220, Packaging: Tube, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6561 pF @ 20 V.

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G048N04T Hersteller : GOFORD Semiconductor G048N04T.pdf G048N04T
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