G05P06L Goford Semiconductor

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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1376 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)

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Technische Details G05P06L Goford Semiconductor

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	G05P06L	GOFORD Semiconductor	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	3000+ 0.14 EUR 15000+ 0.13 EUR Mindestbestellmenge: 3000 Stücke kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

G05P06L

Hersteller: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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