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Technische Details G120P06M Goford Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -120A; 277W; TO263, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Case: TO263, Power dissipation: 277W, Gate charge: 230nC, Polarisation: unipolar, Technology: Trench, Drain current: -120A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -60V.
Weitere Produktangebote G120P06M nach Preis ab 1.04 EUR bis 1.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| G120P06M | GOFORD Semiconductor |
 P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263 |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G120P06M |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263
P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263
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