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G200P04S2

G200P04S2 Goford Semiconductor

GOFORD-G200P04S2.pdf
Hersteller: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
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Technische Details G200P04S2 Goford Semiconductor

Dual P-CH,-40V,-9A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 25mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOP-8.

Weitere Produktangebote G200P04S2 nach Preis ab 0.46 EUR bis 0.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
G200P04S2 GOFORD Semiconductor GOFORD-G200P04S2.pdf Dual P-CH,-40V,-9A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 25mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOP-8
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