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G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor

Name: G2R1000MT17J
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 6723930-5
Price: 4883 EUR
Availability: InStock

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263

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Technische Details G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC - G2R1000MT17J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: G2R Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.45ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Weitere Produktangebote G2R1000MT17J nach Preis ab 4.95 EUR bis 10.54 EUR

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G2R1000MT17J

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263

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G2R1000MT17J

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263

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G2R1000MT17J

Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 8A
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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G2R1000MT17J

Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR

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G2R1000MT17J

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263

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2500+	5.63 EUR

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G2R1000MT17J

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

MOSFET 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET

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G2R1000MT17J

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V

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Anzahl	Preis
2+	10.54 EUR
10+	9.44 EUR
25+	9.03 EUR
100+	8.46 EUR
250+	8.10 EUR
500+	7.84 EUR
1000+	7.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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G2R1000MT17J

Hersteller : GENESIC

Description: GENESIC - G2R1000MT17J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.45ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

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G2R1000MT17J

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263

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G2R1000MT17J

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A

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G2R1000MT17J

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Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A

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Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263

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Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263

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