G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor
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Technische Details G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - G2R120MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 3.3 kV, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 402W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: G2R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote G2R120MT33J nach Preis ab 179.96 EUR bis 179.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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G2R120MT33J | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V |
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G2R120MT33J | Hersteller : GENESIC |
Description: GENESIC - G2R120MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 3.3 kV, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 402W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: G2R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G2R120MT33J | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
3300V 120mΩ TO-263-7 G2R SiC MOSFET |
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G2R120MT33J | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
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G2R120MT33J | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
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G2R120MT33J | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7 Case: TO263-7 Drain-source voltage: 3.3kV On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: G2R™; SiC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 250 Stücke |
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G2R120MT33J | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7 Case: TO263-7 Drain-source voltage: 3.3kV On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: G2R™; SiC Kind of channel: enhancement |
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