G3404LL Goford Semiconductor
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Technische Details G3404LL Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 6A; 1.2W; SOT23-6, Power dissipation: 1.2W, Gate charge: 12.2nC, Polarisation: unipolar, Technology: Trench, Drain current: 6A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Case: SOT23-6, Mounting: SMD.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| G3404LL | GOFORD Semiconductor |
 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3404LL |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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