G35N02S Goford Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.05 EUR |
| 33+ | 0.64 EUR |
| 50+ | 0.46 EUR |
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Technische Details G35N02S Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 12A; 2.6W; SOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 12A, Power dissipation: 2.6W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±12V, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of channel: enhancement, Technology: Trench.
Weitere Produktangebote G35N02S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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G35N02S | Goford Semiconductor |
 Description: MOSFET,N-CH,20V,12A,2.6W,SOP-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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G35N02S | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 12A; 2.6W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 12A Power dissipation: 2.6W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement Technology: Trench |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| G35N02S |
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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,20V,12A,2.6W,SOP-8
Description: MOSFET,N-CH,20V,12A,2.6W,SOP-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G35N02S |
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Hersteller: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 12A; 2.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 12A; 2.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
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