G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor
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Technische Details G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - G3F09MT12GB4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 216W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 34Pin(s), Produktpalette: SiCPAK G Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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G3F09MT12GB4 | Hersteller : GENESIC |
 Description: GENESIC - G3F09MT12GB4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 216W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 34Pin(s) Produktpalette: SiCPAK G Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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