G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor
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Technische Details G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - G3F09MT12GB4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, Verlustleistung: 216W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 34Pin(s), Produktpalette: SiCPAK G Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm.
Weitere Produktangebote G3F09MT12GB4 nach Preis ab 560.68 EUR bis 616.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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G3F09MT12GB4 | GENESIC |
 Description: GENESIC - G3F09MT12GB4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, ModultariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke Verlustleistung: 216W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 34Pin(s) Produktpalette: SiCPAK G Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3F09MT12GB4 |
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Hersteller: GENESIC
Description: GENESIC - G3F09MT12GB4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 216W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: SiCPAK G Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
Description: GENESIC - G3F09MT12GB4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: SiCPAK G Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
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