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G3R160MT12D

G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor

g3r160mt12d.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Technische Details G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V, Power Dissipation (Max): 123W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V.

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G3R160MT12D G3R160MT12D Hersteller : GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
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G3R160MT12D G3R160MT12D Hersteller : GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D-3478722.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
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G3R160MT12D G3R160MT12D Hersteller : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R160MT12D Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf G3R160MT12D THT N channel transistors
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G3R160MT12D
Produktcode: 182442
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G3R160MT12D-2449490.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 1200 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 160 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 724/23
JHGF: THT
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