G3R160MT12D
Produktcode: 182442
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Lieblingsprodukt
Hersteller:
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 1200 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 160 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 724/23
JHGF: THT
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Weitere Produktangebote G3R160MT12D nach Preis ab 4.84 EUR bis 14.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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G3R160MT12D | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 28nC On-state resistance: 0.16Ω Drain current: 16A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 123W Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: G3R™; SiC |
auf Bestellung 813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R160MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R160MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R160MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
auf Bestellung 2658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R160MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R160MT12D | Hersteller : Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 123W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R160MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| G3R160MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |