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G3R160MT12D

G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3060C7&compId=G3R160MT12D.pdf?ci_sign=086ae24aaa3e50a514892fe6bd224ecc7bfc54d3 Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.39 EUR
11+6.68 EUR
30+6.42 EUR
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Technische Details G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V, Power Dissipation (Max): 123W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V.

Weitere Produktangebote G3R160MT12D nach Preis ab 4.9 EUR bis 13.21 EUR

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G3R160MT12D G3R160MT12D Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3060C7&compId=G3R160MT12D.pdf?ci_sign=086ae24aaa3e50a514892fe6bd224ecc7bfc54d3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
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G3R160MT12D G3R160MT12D Hersteller : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+9.34 EUR
18+8.09 EUR
25+7.46 EUR
50+7.16 EUR
100+6.46 EUR
250+5.55 EUR
500+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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G3R160MT12D G3R160MT12D Hersteller : GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V
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G3R160MT12D G3R160MT12D Hersteller : GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D-3478722.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
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G3R160MT12D
Produktcode: 182442
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G3R160MT12D-2449490.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 1200 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 160 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 724/23
JHGF: THT
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