G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.55 EUR |
| 10+ | 13.08 EUR |
| 25+ | 12.53 EUR |
| 100+ | 11.77 EUR |
| 250+ | 11.27 EUR |
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Technische Details G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +20V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ), Power Dissipation (Max): 128W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote G3R160MT12J nach Preis ab 12.17 EUR bis 15.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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G3R160MT12J | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
auf Bestellung 1247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R160MT12J | GENESIC |
Description: GENESIC - G3R160MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 1627 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| G3R160MT12J |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 15.71 EUR |
| 10+ | 14.14 EUR |
| 25+ | 13.55 EUR |
| 100+ | 12.7 EUR |
| 250+ | 12.17 EUR |
| G3R160MT12J |
|
Hersteller: GENESIC
Description: GENESIC - G3R160MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: GENESIC - G3R160MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Dauer-Drainstrom Id: 22A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)