Weitere Produktangebote G3R160MT17D nach Preis ab 13.25 EUR bis 26.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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G3R160MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
auf Bestellung 1940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R160MT17D | Hersteller : Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R160MT17D | Hersteller : GENESIC |
Description: GENESIC - G3R160MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 1.7 kV, 0.16 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 175W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 547 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |