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G3R160MT17J

G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor

g3r160mt17j.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Technische Details G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V.

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G3R160MT17J G3R160MT17J Hersteller : GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R160MT17J Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J.pdf G3R160MT17J SMD N channel transistors
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G3R160MT17J G3R160MT17J Hersteller : GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
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