G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 38.52 EUR |
| 10+ | 38.40 EUR |
| 30+ | 37.08 EUR |
| 120+ | 37.04 EUR |
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Technische Details G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC - G3R20MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 128 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 542W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote G3R20MT12K nach Preis ab 37.04 EUR bis 60.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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G3R20MT12K | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 90A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 219nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 542W Case: TO247-4 |
auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R20MT12K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 542W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V |
auf Bestellung 748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R20MT12K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
auf Bestellung 407 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R20MT12K | Hersteller : GENESIC |
Description: GENESIC - G3R20MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 128 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 542W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R20MT12K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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