G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 193.08 EUR |
| 10+ | 179.1 EUR |
| 30+ | 173.81 EUR |
| 120+ | 170.82 EUR |
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Technische Details G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - G3R20MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 124 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 124A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 809W, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.
Weitere Produktangebote G3R20MT17K nach Preis ab 167.41 EUR bis 245.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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G3R20MT17K | Navitas Semiconductor, Inc. |
 Description: SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V Power Dissipation (Max): 809W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R20MT17K | GENESIC |
Description: GENESIC - G3R20MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 124 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 124A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 809W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R20MT17K |
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Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 809W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
Description: SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 809W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
auf Bestellung 355 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 213.25 EUR |
| 30+ | 167.41 EUR |
| G3R20MT17K |
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Hersteller: GENESIC
Description: GENESIC - G3R20MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 124 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 809W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: GENESIC - G3R20MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 124 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 809W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 245.28 EUR |
| 5+ | 209.54 EUR |
| 10+ | 185.69 EUR |