G3R20MT17N Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.Description: SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 523W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 203.26 EUR |
| 10+ | 177.52 EUR |
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Technische Details G3R20MT17N Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GENESIC - G3R20MT17N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 523W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote G3R20MT17N nach Preis ab 203.07 EUR bis 226.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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G3R20MT17N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R20MT17N | Hersteller : GENESIC |
Description: GENESIC - G3R20MT17N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 523W Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R20MT17N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R20MT17N | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 70A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 523W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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G3R20MT17N | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 70A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 523W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement |
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