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G3R30MT12J

G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor

G3R30MT12J-2450019.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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Technische Details G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W, Mounting: SMD, Gate-source voltage: -5...15V, Kind of package: tube, Case: TO263-7, On-state resistance: 30mΩ, Pulsed drain current: 200A, Power dissipation: 459W, Gate charge: 155nC, Polarisation: unipolar, Technology: G3R™; SiC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 68A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor g3r30mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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