G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC SemiconductorDescription: SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 34.87 EUR |
| 10+ | 32.03 EUR |
| 25+ | 30.98 EUR |
| 100+ | 29.43 EUR |
| 250+ | 28.46 EUR |
| 500+ | 27.74 EUR |
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Technische Details G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - G3R30MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 281W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote G3R30MT12K nach Preis ab 29.92 EUR bis 43.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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G3R30MT12K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R30MT12K | Hersteller : GENESIC |
Description: GENESIC - G3R30MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 281W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R30MT12K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R30MT12K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| G3R30MT12K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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G3R30MT12K | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 63A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 155nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 400W Case: TO247-4 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| G3R30MT12K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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G3R30MT12K | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 63A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 155nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 400W Case: TO247-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |